Національна академія наук України Міністерство освіти і науки України
Придніпровський науковий центр
Дніпропетровськ Запоріжжя Кіровоград
Пропустити посилання переходів
Контакти
На головну
Про нас
Пропустити посилання переходів
КExpand К
Секції центру
Офіційні джерела
Національна академія наук України
Министерство образования и науки, молодежи и спорта Украины
Дніпровський регіональний центр інноваційного розвитку
 
Котляревский Марк Борисович 
Доктор фізико-математичних наук, професор
Контакти:

Робоча адреса: вул. Шмідта 4, м. Бердянськ, Запорізька обл. 71100

роб. тел.: (06153) 71984

Наукова біографія

У 1963 р. закінчив Томський інститут автоматизованих систем управління та радіоелектроніки, факультет електронної техніки.

У 1981 р. захистив докторську дисертацію “Структура акцепторних дефектів та методи одержання діркової провідності в широкозонних АВ напівпровідниках” у Московському інституті сталі та сплавів.

 

Викладацька та наукова діяльність:

З 1963 р. працював на посаді асистента, у 1965–1968 рр. – аспіранта кафедри фізики, 1969 р. – старшого викладача, доцента кафедри діелектриків і напівпровідників Томського інституту автоматизованих систем управління та радіоелектроніки.

1974 р. – завідувач кафедри фізики та медичної кібернетики Томського медичного інституту.

У 1984–1993 рр. – завідувач кафедри фізики та інформатики Бердянського державного педагогічного інституту.

З 1993 по 2008 рр. обіймав посаду ректора Азовського регіонального інституту управління.

З 2011 р. професор кафедри фізики БДПУ.

Він є дійсним членом Академії інформатики України. Академік АНВШУ. Винахідник СРСР.

Він є автором 120 наукових праць.

 

Основні наукові праці:

1. A.N. Georgobian, I.V. Rogozin, M.B. Kotlyarevskii, V.I. Demin, A.V.Marakhovskii. p-n- Junctions in ZnO Implanted with Group V Ions. Inorganic Materials, 2010, Vol. 46, No. 9, pp. 948-952. Pleiades Publishing, Ltd., 2010.

2. A.N. Georgobian, M.B. Kotlyarevskii, N.P. Datskevich, I.V. Rogozin. Structural and Electroluminescent Properties of  n-ZnO/p-GaN:Mg Heterojunctions. Inorganic Materials, 2010, Vol. 46, No. 11, pp. 1161-11652. Pleiades Publishing, Ltd., 2010.

3. M.B. Kotlyarevskii, I.V. Rogozin. Growth of N-doped ZnO thin films using N2+O2 Mixture as the dopant source. 18thInternational Vacuum Congress August 23-27, 2010 International Convention Center, Beijing

4. Georgobiani A.N., Kotlyarevsky M.B., Rogozin I.V. Methods of high-energy chemistry in the technology of wide-gap chalcogenide semiconductors. Inorganic Materials. 2004. Т. 40. № SUPPL. 1.

5. Georgobiani A.N., Kotlyarevsky M.B., Rogozin I.V. Phase content and photoluminescence of ZnO layers obtained on ZnSe substrates by radical-beam gettering epitaxy. Nuclear Physics B - Proceedings Supplements. 1999. Т. 78. № 1-3. С. 484-487.

6. Georgobiani A.N., Lepnev L.S., Kotlyarevskii M.B., Kidalov V.V., Rogozin I.V. Luminescence of native-defect p-type ZnO. Inorganic Materials. 2001. Т. 37. № 11. С. 1095-1098.

 

Нагороди:

“Заслужений діяч України науки і техніки” (2004)

MyCounter - счётчик и статистика
   
Придніпровський науковий центр © Центр практичної інформатики НАН України